企业动态丨北方华创创新推出高介电常数原子层沉积设备并获业界认可

近期，北方华创12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单，市占率不断攀升，赢得客户信任。这标志着北方华创CVD（化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用，为华创进一步拓宽高端设备赛道注入新的动力。

为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO2（氧化铪）作为栅介质层，结合金属栅极技术，研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位，CVD/ALD（原子层沉积）工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。北方华创凭借多年的原子层沉积技术积累，创新推出12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430，凭借领先的性能优势、产能优势，以及应用于国内12英寸主流Fab（半导体制造）厂的实践经验，成为国内HiK量产生产线的主力机台。

未来，北方华创将矢志不渝地加快科技创新的实践步伐，不断推进CVD先进工艺设备的布局研发，为半导体行业的多元化技术需求提供更为高效的解决方案，推动半导体装备制造技术的发展迈向新高度。